http://www.wikiznanie.ru/ru-wz/index.php/%D0%A1%D0%B2%D0%B5%D1%82%D0%BE%D0%B4%D0%B8%D0%BE%D0%B4 Цвет Длина волны (nm) Вольтаж (V) Материал полупроводника
Инфракрасный λ > 760 ΔV < 1.9 Gallium arsenide (GaAs)
Aluminium gallium arsenide (AlGaAs)
Красный 610 < λ < 760 1.63 < ΔV < 2.03 Aluminium gallium arsenide (AlGaAs)
Gallium arsenide phosphide (GaAsP)
Aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP)
Gallium(III)
phosphide (GaP)
Оранжевый 590 < λ < 610 2.03 < ΔV < 2.10 Gallium arsenide phosphide (GaAsP)
Aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP)
Gallium(III)
phosphide (GaP)
Желтый 570 < λ < 590 2.10 < ΔV < 2.18 Gallium arsenide phosphide (GaAsP)
Aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP)
Gallium(III)
phosphide (GaP)
Зеленый 500 < λ < 570 1.9[32] < ΔV < 4.0 Indium gallium nitride (InGaN) / Gallium(III) nitride (GaN)
Gallium(III) phosphide (GaP)
Aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP)
Aluminium gallium phosphide (AlGaP)
Синий 450 < λ < 500 2.48 < ΔV < 3.7 Zinc selenide (ZnSe)
Indium gallium nitride (InGaN)
Silicon carbide (SiC) as substrate
Silicon (Si) as substrate — (в разработке)
Фиолетовый 400 < λ < 450 2.76 < ΔV < 4.0 Indium gallium nitride (InGaN)
Пурпурный разные типы 2.48 < ΔV < 3.7 Dual blue/red LEDs,
синий с красным фосфором,
белый с пурпурным фильтром
Ультрафиолетовый λ < 400 3.1 < ΔV < 4.4 diamond (235 nm)[33]
Boron nitride (215 nm)[34][35]
Aluminium nitride (AlN) (210 nm)[36]
Aluminium gallium nitride (AlGaN)
Aluminium gallium indium
nitride (AlGaInN) — (down to 210 nm)[37]
Белый Широкий спектр ΔV = 3.5 Синий/УФ диод и желтый фосфор